（原标题：HBM 8互利配资，最新展望）
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来源：内容编译自theelec。
韩国科学技术研究院的一位教授表示，到 2029 年左右，当 HBM5 实现商业化时，冷却技术将成为高带宽存储器 (HBM) 市场竞争的主要因素。
韩国科学技术研究院电气工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab（Kim 领导的该大学下属研究小组）主办的活动中表示，目前，封装是决定半导体市场霸权的主要因素，但随着 HBM5 的出现互利配资，这一局面将转变为冷却技术。
该实验室分享了所谓的 2025 年至 2040 年 HBM4 至 HBM8 的技术路线图。其中一些技术包括 HBM 架构、冷却方法、硅通孔 (TSV) 密度、中介层等。
Kim 表示，预计基础芯片将通过异构和先进的封装技术移至 HBM 的顶部。
由于从 HBM4 开始，基础芯片将承担 GPU 的部分工作负载，因此基础芯片的温度升高使得冷却变得非常重要。
HBM5 结构采用浸入式冷却互利配资，基片和封装将浸入冷却液中。Kim 指出，目前使用的液体冷却方法存在局限性。在 HBM4 中，液体冷却剂被注入封装顶部的散热器中。
除了 TSV 之外，还将添加新的通孔，例如热通孔 (TTV)、栅极 TSV 和电源 TPV。该教授表示，HBM7 需要嵌入式冷却系统将冷却液注入 DRAM 芯片之间，为此将添加流体 TSV。
HBM7 还将与各种架构相结合，例如高带宽闪存 (HBF)，其中 NAND 以 3D 方式堆叠，就像 DRAM 以 HBM 方式堆叠一样，而 HBM8 将把 HBM 直接安装在 GPU 顶部。
该教授还表示，除了冷却之外，键合也是决定HBM性能的另一个主要因素。他表示，从HBM6开始，将引入玻璃和硅的混合中介层。
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